Podrobnosti návrhu
| Název | Semiconductor devices - Performance evaluation of semiconductor processing components and inspection equipment - Part 3: Nano-scale wafer surface inspection method using UV light |
|---|---|
| Číslo | 47/3028/CDV - IEC 63567-3 ED1 |
| Zdroj | ISO\IEC\CEN\CENELEC |
| Komise | IEC/TC 47 (Semiconductor devices) |
| Zkontrolujte datum zahájení | |
| K připomínkám do | |
| Oblast zaměření |
Akce
Anotace
This part of IEC 63567 provides guidance on the use of optical inspection for detecting nano-scale defects on commercially available wafers using ultraviolet (UV) light. This document describes wafer defects detected by UV inspection techniques, general measurement procedures, performance-evaluation parameters and metrological characteristics for defect detection, position measurement and size measurement.
The scope of this document applies to wafers currently employed for semiconductor devices, including patterned wafers used for defect inspection and process control.
Instrukce
Tento dokument můžete připomínkovat po jednotlivých částech - stačí u příslušné části dokumentu vyplnit formulář v souladu s pokyny a kliknout na ‚Odeslat připomínku‘.
Prosíme, nepoužívejte vulgární výrazy a nevyužívejte tento prostor pro umisťování reklamy.